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dc.contributor.authorSAIDANI MERIEM-
dc.contributor.authorBOUKENDAKDJI KHOULOUD-
dc.date.accessioned2024-09-26T10:31:18Z-
dc.date.available2024-09-26T10:31:18Z-
dc.date.issued2024-
dc.identifier.urihttps://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/30570-
dc.description4.621.1.1299;60pfr_FR
dc.description.abstractCe travail porte sur l'étude et la simulation de la structure du puits quantique InGaNAsSb/InP. Plus précisément, il s’agit d’évaluer l’influence de la combinaison d’indium (In), l’azote (N)et de l’antimoine (Sb) sur la structure de bande et le gain optique à l’aide du modèle d’anticroisement (BAC). Dans un premier temps, nous déterminerons les propriétés physiques et structurelles des matériaux III-V, pour en faire un alliage quinaire d’une structure de puits quantique. L’incorporation de l’antimoine provoque l’éclatement de la bande de valence en deux sous bandes. Il en ait de même pour l’incorporation d’azote qui provoque un éclatement de la bande de conduction en deux sous bandes. L’avantage de cet effet est qu’il réduit considérablement la bande interdite et permet de décaler la longueur d’onde d’émission. Il sera possible d’atteindre un gain maximal de 5275 cm -1 correspondant à une longueur d’onde d’émission λ=1.3 µm exploitable par les fibres optiques pour les télécommunications.fr_FR
dc.language.isofrfr_FR
dc.publisherblida1fr_FR
dc.subjectSemiconducteurs; gain optique ; InGaNAsSb ; BACfr_FR
dc.titleEtude et simulation d’une structure à puits quantique à base d’un quinaire pour les télécommunicationsfr_FR
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