Etude et Simulation d’une structure Métal‐Oxyde‐Semiconducteur, Application aux matériaux high‐k/III‐V

Abstract

Parmi les solutions envisagées pour repousser les limites de la miniaturisation dans la technologie CMOS, on a l’utilisation des matériaux innovants comme (high-k/III-V). Cet empilement à travers la grille nous permet de compenser sous certaines conditions les effets induits par les petites dimensions. L’objectif de ce travail de mémoire est de faire une étude théorique basée sur une analyse de l’empilement Métal-Oxyde-Semiconducteur afin d’étudier les différents régimes de fonctionnement. Après, une simulation de cet empilement sous un environnement de calcul, commençant par une structure MOS classique ensuite une structure utilisant des matériaux innovants afin de montrer l’amélioration des paramètres électrostatiques ce qui donne un bon contrôle à la grille.