Please use this identifier to cite or link to this item: http://localhost:8080/xmlui/handle/123456789/36198
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorMerouani, Roumaissa-
dc.contributor.authorFettar, Amina Yasmine-
dc.date.accessioned2025-01-08T11:09:42Z-
dc.date.available2025-01-08T11:09:42Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.urihttps://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/36198-
dc.description4.621.1.1366 ; 56 pfr_FR
dc.description.abstractDans ce travail, nous avons concentré notre attention sur l’étude et le calcul de longueur d’onde de la structure GaN/AlGaN de l’émission ultra-violet. Les semi- conducteurs III-V ont des caractéristiques très importantes, pour cela nous avons étudiés les différentes paramètres structurales comme (paramètre de maille, désaccord de maille, épaisseur critique …etc.)et électroniques comme l'énergie de son gap, l’énergie de quantification…, Nous avons également étudié les différents facteurs liés au laser, que nous avons utilisé pour calculer la longueur d'onde émise à un puits quantique par la résolution de l’équation de Schrödinger en utilisant l’un des méthodes numériques.fr_FR
dc.language.isofrfr_FR
dc.publisherBlida1fr_FR
dc.subjectsemi-conducteur; longueur d’onde ;puits quantiques.fr_FR
dc.titleCalcul de la longueur d’onde d’une structure à puits quantiques à base de GaN/Al x Ga 1-x N par l’émission ultravioletfr_FR
Appears in Collections:Mémoires de Master

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
memoire merouani.pdf2,45 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.