Amélioration de la performance d’un capteur optique à base d’InGaAsP/InGaP

Abstract

Le but de ce travail et de mener une analyse de simulation ainsi que d'améliorer les performances d'un capteur à puits quantique fabriqué à partir d'InGaAsP/InGaP. Dans un premier temps, nous avons exploré les propriétés optoélectroniques fondamentales qui définissent cette structure. Par la suite, nous avons examiné l'impact de l'indium (présent dans le puits et la barrière) et de l'arsenic sur le coefficient de gain optique de cette configuration. Pour accroître le coefficient de gain, il est nécessaire d'augmenter toutes les concentrations. L'arsenic exerce une influence bien plus marquée sur le pic de gain. De plus, la longueur d'émission se déplace vers des longueurs d'onde plus élevées. Ce dernier paramètre peut être ajusté dans le spectre infrarouge selon l'application visée.