Optimisation d’une structure à base d’un matériau III-V pour la diode laser

Abstract

Afin d’améliorer la performance d’un composant optoélectronique pour des applications en communications, on a étudié et simuler la structure In x Ga (1-x) N sur le substrat GaN à puits quantique. D’abord, on a étudié le paramètre de maille de la structure en fonction de la concentration d’indium, en effet ce dernier est proportionnel avec la concentration, nous avons aussi simulé le désaccord de maille et, qui pour notre structure donne dans tous les points une contrainte compressive. La simulation de la barrière du potentiel pour notre structure preuve qu’on a travaillé dans un puits quantique de type I, cette structure et pour certain concentration d’indium (In) donne une longueur d’onde d’émission de 0,4 à 0,5 μm, qui est émetteur dans le bleu et le violet pour les diodes laser, après le passage par l’étude de différents paramètres électroniques tel que l’énergie de transition ,la longueur d’onde d’émission , le gap …etc. tous leurs résultats montrent l’utilisation des faibles concentrations d’indium (In).

Mots clés : Structure In x Ga (1-x) N , puits quantique , paramètre de maille ,contrainte , longueur d’onde.

In order to improve the performance of an optoelectronic component for communications applications, the In x Ga (1-x) N structure on the quantum well GaN substrate was studied and simulated. First, we studied the lattice parameter of the structure as a function of the indium concentration, in fact the latter is proportional to the concentration, we also simulated the mesh mismatch and, which for our structure gives in all the points a compressive constraint. The simulation of the potential barrier for our structure, proof that we worked in a quantum well of type I, this structure and for certain indium concentration In gives a wavelength of 0.4 0.5 um, after the passage through the study of different electronic parameters such as stress, gap… etc. All their results show the use of low concentrations of indium In.

Keywords: In x Ga (1-x) N structure, quantum well, mesh parameter, stress, wavelength.