Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/6154
Titre: Modélisation et simulation en régimes statique et dynamique du transistor IGBT (Insulated-Gate -Bipolar-Transistor)
Auteur(s): Benbahouche, Lynda
Mots-clés: (Insulated-Gate -Bipolar-Transistor)
IGBT
Date de publication: 1996
Editeur: univ- blida 1
Description: Bibliogr. ill . 95 p .
URI/URL: http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/6154
Collection(s) :Thèse de Magister

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
32-530-376-1-.pdfThèse de Magister41,43 MBAdobe PDFVoir/Ouvrir


Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.