Memristor (résistance a mémoire) a base de couches minces de dioxyde de vanadium.

Abstract

Ce travail de master s'intéresse à l'étude de l'effet du substrat sur les propriétés structurales et électriques des couches de dioxyde de vanadium (VO2) dans le cadre d'une application memresistor. Ces couches minces de VO2 ont été déposées par ablation laser (PLD) sur substrat de silicium directement ou sur une fine couche tampon d'or. Les dépôts ont été caractérisés par des techniques d'analyses morphologiques, structurelles et électriques. Les résultats des caractérisations électriques indiquent un comportement de la caractéristique Résistance-Température (résistance dépendent de la température) qui dévoile un contraste de transition plus important dans l'échantillon VO2/Si. Par contre, l'effet de l'application de la tension électrique est plus apparent dans l'échantillon VO2/Au. Ainsi, plus la tension appliquée est grande plus la température de transition de phase est plus faible. En effet, nos résultats montrent un découplage entre une transition purement électronique et une transition structurale. Ces résultats sont en accord avec la littérature. Les résultats obtenus, montrent que la largeur et la tension de déclenchement de l'effet hystérésis ainsi que le contraste de transition de la couche de VO2, sont largement influencés par la nature de substrat. En effet nos résultats montrent que les tensions de déclenchements sont faible et les largeurs de l'effet hystérésis sont large pour les couches VO2 déposées sur l'or VO2/Au (utilisation memresistors). Par contre, les couches déposées sur substrat de silicium (VO2/Si) montrent un grand contraste de transition, quatre ordres de grandeurs. Ceci les qualifient à être de bon candidats pour des applications de commutateurs thermiques.