Etude et simulation d’une structure à base de GaAsP/GaAs/InGaAs pour le photovoltaïque

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Élément Dublin Core	Valeur	Langue
dc.contributor.author	Chanane, Abdel Krim	-
dc.contributor.author	Kefkef, Abdelamine	-
dc.date.accessioned	2021-01-26T07:32:47Z	-
dc.date.available	2021-01-26T07:32:47Z	-
dc.date.issued	2020	-
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/9372	-
dc.description	4.621.1.754 ; 53 p	fr_FR
dc.description.abstract	Dans cette thèse de master, nous nous intéressons à la simulation et à la modélisation d'une cellule solaire GaAsP / GaAs / InGaAs pour le photovoltaïque. Ce matériau est un alliage semiconducteur du troisième au cinquième niveau avec une révolution de sa structure électronique et d'autres propriétés et a trouvé une large application dans les dispositifs optiques et électroniques. Premièrement, nous avons étudié l'effet de Concentration en phosphore sur différents éléments de la cellule Puis nous avons étudié l'effet de la température sur la cellule pour différents éléments caractéristiques de la cellule	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Univ Blida1	fr_FR
dc.subject	aAsP/GaAs/InGaAs	fr_FR
dc.title	Etude et simulation d’une structure à base de GaAsP/GaAs/InGaAs pour le photovoltaïque	fr_FR
Collection(s) :	Mémoires de Master

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