Résumé:
Les renseignements concernant l'état de l'interface oxyde-silicium du transistor, avant et après les contraintes de vieillissement, permettent de prévoir l'évolution des paramètres du composant considéré et donc de modéliser son comportement dans le temps, pour améliorer ses performances en général et sa durée de vie en particulier.
La technique de pompage de charge est une technique expérimentale qui permet de caractériser, avec une grande précision, l'interface oxyde-silicium des transistors MOSFET de très faible dimension (submicronique)
A cause de sa capacité d'étudier les transistors de la VLSI, de sa grande précision et de sa facilité de mise en oeuvre, cette technique est actuellement très utilisée aussi bien dans l'industrie que dans la recherche. En effet, elle peut être facilement intégrée dans une chaîne de fabrication et contrôler, à toutes les étapes, l'evolution de la densité des états d'interfaces, paramètre clé de la fiabilité des MOSFET. Elle peut aussi servir dans un laboratoire de recherche, à étudier le vieillissement et la durée de vie du MOSFET, afin d'améliorer ses performances.
Dans le cadre de ce travail, on se propose de simuler la technique de pompage de charge. Cette simulation devrait permettre d'obtenir les répartitions spatiale et énergétique des défauts créés par contraintes ou par les processus technologiques de fabrication, au niveau de l'interface. Les résultats de la simulation seront confrontés aux résultats des mesures déjà effectuées.
