Résumé:
Afin d’améliorer la performance d’un composant électronique pour augmenter les débits d’information et diminuer leurs facteurs de pertes, on a étudié et simuler trois structures à base de semi-conducteurs III-V, InGaAs/GaAs, InGaAs/InP et GaAsP/GaP. D’abord on a étudié l’effet de l’incorporation de l’indium et le phosphore sur les paramètres de maille des deux
structures actives, on a aussi simulé la contrainte uniaxiale et biaxiale des trois matériaux. On a optimisé l’impact de la température et de l’énergie de gap sur les différents paramètres
optiques et électroniques tels que l’absorption en 3D, le gap, la barrière de potentiel, tous leurs résultats montrent que pour des concentrations d’indium et de phosphore optimales, nos
structures peuvent atteindre des longueurs d’onde exploitables en télécommunication.
