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dc.contributor.author |
Mraoufel, Ahleme |
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dc.date.accessioned |
2022-04-18T10:05:40Z |
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dc.date.available |
2022-04-18T10:05:40Z |
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dc.date.issued |
2002 |
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dc.identifier.uri |
http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/15537 |
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dc.description |
Bibliogr. |
fr_FR |
dc.description.abstract |
Le développement de la microélectronique, dans la course vers la réduction des dimensions, ouvre la voie à de nouveaux axes de recherche, à tous les niveaux, de l'expérimentation, de la modélisation. Cette réduction des dimensions inhérente à l'accroissement de complexité, rend nécessaire l'analyse microscopique des phénomènes qui limitent les performances électriques et la fiabilité des réalisations : formation des défauts, diffusion anormale, contraintes…Toutes les opérations fondamentales : oxydation, diffusion, implantation, recuit… sont concernées.
Pour notre part, nous nous intéressons dans ce mémoire à la modélisation et à la simulation de la croissance cristalline. Nous tenterons de montrer que la simulation peut être un outil très efficace pour la compréhension des phénomènes nouveaux liés à la complexité croissante et à la taille de plus en plus petite des dispositifs électroniques et pour la prévision de leurs performances. |
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dc.language.iso |
fr |
fr_FR |
dc.publisher |
Univ.Blida 1 |
fr_FR |
dc.title |
Modélisation et simulation, à l’échelle atomique de la croissance cristalline homoépitaxique de quatre couches atomiques de Ga As/Ga As(100) |
fr_FR |
dc.title.alternative |
Etude de la diffusion inter et intra-couches |
fr_FR |
dc.type |
Thesis |
fr_FR |
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