Optimisation des Nanostructures pour les Diodes Lasers VCSEL

Zerouala, Feriel; Aissat, Abdelkader ( Promoteur)

dc.contributor.author	Zerouala, Feriel
dc.contributor.author	Aissat, Abdelkader ( Promoteur)
dc.date.accessioned	2022-11-15T14:00:52Z
dc.date.available	2022-11-15T14:00:52Z
dc.date.issued	2022-09-21
dc.identifier.uri	https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/20123
dc.description	ill., Bibliogr. Cote: ma-530-317	fr_FR
dc.description.abstract	L’object if de ce mémoire est d’étudier le fonct ionnement des Lasers à semi-conducteurs VCSEL à base d’une structure ternaire GaAsSb/GaAs afin de déterminer les longueurs d’ondes d’émissions. Nous avons en particulier étudié les propriétés structurales (paramètre de maille, désaccord de maille et l’épaisseur critique) et les propriétés électroniques (l’énergie de la bande interdite, l’énergie de quantificat ion et l’énergie de transition) de cet alliage. Nous avons aussi établi l’effet de la contrainte, l’éclatement ainsi que la température sur notre structure. En conclusion nous avons déterminer les longueurs d’ondes d’émissions de notre structure. Mots clés : Semi-conducteur, Laser, VCSEL, Puits quantique, Longueur d’onde d’émission.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Université Blida 1	fr_FR
dc.subject	Semi-conducteur	fr_FR
dc.subject	Laser	fr_FR
dc.subject	VCSEL	fr_FR
dc.subject	Puits quantique	fr_FR
dc.subject	Longueur d’onde d’émission	fr_FR
dc.title	Optimisation des Nanostructures pour les Diodes Lasers VCSEL	fr_FR
dc.type	Thesis	fr_FR