Résumé:
Le travail demandé dans ce master est la réalisation d’un simulateur (outil informatique) décrivant, à l’échelle atomique, le processus d’interaction HF (liquide) avec le système cristallin Si-B, orienté (100), à basse température (T≤ T ambiante), en utilisant la méthode de Monte Carlo cinétique dans la gestion des molécules HF arrivant sur le substrat cristallin Si(100) dopé d’impureté Bore.
Les mécanismes à introduire dans le simulateur type Monte Carlo cinétique, sont : (1) réactions HF/Si et HF/B, (2) désorption, diffusion et recombinaison des brins de SiF et BF (x≤3), (3) transfert de charge dans le système HF/Si-B orienté (100).
Ce travail entre dans le cadre des études menées pour la compréhension des mécanismes, aussi bien physiques que chimique, responsables de la formation des pores au cours de l’anodisation du système Si-B (silicium dopé avec le bore) en milieu fluorhydrique, qui fut découvert par Uhlir en 1956, est resté toujours une curiosité de nombreux chercheurs.
Mots clés : Semi-conducteur, Simulation sur ordinateur, Anodisation électrochimique, Silicium poreux,
Monte Carlo cinétique, système cristallin Si-B.
