Abstract:
Radar systems require stringent performance criteria, including high power output and low noise performance in high-frequency applications. The goal of this work is to study and simulate a low-noise amplifier LNA using micro-strip lines for RADAR applications. The research emphasizes the use of GaN-based HEMTs transistors due to their excellent electrical properties and high-frequency performance. The study includes a detailed analysis of HEMTs properties, the design of a low-noise amplifier, and the investigation of the effects of micro-strip lines. Simulations show a significant improvement in performance with the use of these technologies, thereby enhancing the efficiency of radar applications.
Résumé
Les systèmes radar exigent des critères de performance stricts, notamment une puissance de sortie élevée et des performances de faible bruit dans les applications à haute fréquence. L'objectif de ce travail est d'étudier et de simuler un amplificateur faible bruit LNA utilisant des lignes micro-ruban pour les applications radar. Ce travail met en avant l'utilisation des transistors HEMTs GaN en raison de leurs excellentes propriétés électriques et de leurs performances élevées en haute fréquence. La recherche inclut une analyse détaillée des propriétés des HEMTs, la conception d'un amplificateur faible bruit, ainsi que l'étude des effets des lignes micro-ruban. Les simulations montrent une amélioration notable de la performance avec l'utilisation de ces technologies, renforçant ainsi l'efficacité des applications radar.
