Amélioration des nanostructures à bas des semi-conducteurs  III-V pour la Détection

Larbi, Yasmina; Aissat, A. (Promoteur); Ammraoui, R. (Co-Promoteur)

dc.contributor.author	Larbi, Yasmina
dc.contributor.author	Aissat, A. (Promoteur)
dc.contributor.author	Ammraoui, R. (Co-Promoteur)
dc.date.accessioned	2024-09-25T12:45:42Z
dc.date.available	2024-09-25T12:45:42Z
dc.date.issued	2023-07-18
dc.identifier.uri	https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/30488
dc.description	ill., Bibliogr. Cote:ma-366	fr_FR
dc.description.abstract	Dans le cadre de ce projet nous somme intéressé sur l'amélioration de la réponse d'une photodiode basée sur les semi-conducteurs III-V en passant par l'étude des propriétés structurales afin d'obtenir une photodiode ultra rapide. L'optimisation des concentrations de phosphore dans l'alliage ternaire (GaAs/InP)permet d'améliorer l'absorption de la photodiode. Des simulations ont été réalisées pour étudier le gap en fonction de la concentration de phosphore et la température, le coefficient d'absorption en fonction de la concentration de phosphore, et finalement les réponses impulsionnelles des porteurs ainsi que la réponse en fréquence de la photodiode. Enfin, une nouvelle structure a été proposée pour améliorer la réponse de la photodiode. Mots-clés: jonction PN, longueur d'onde, photodiode PIN,semi-conducteursIII-V	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Université Blida 1	fr_FR
dc.subject	jonction PN	fr_FR
dc.subject	longueur d’onde	fr_FR
dc.subject	Phtodiode PIN	fr_FR
dc.subject	semi-conducteurs III-V	fr_FR
dc.title	Amélioration des nanostructures à bas des semi-conducteurs III-V pour la Détection	fr_FR
dc.type	Thesis	fr_FR