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| dc.contributor.author |
Gautier, Jacques |
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| dc.date.accessioned |
2024-10-02T13:33:17Z |
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| dc.date.available |
2024-10-02T13:33:17Z |
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| dc.date.issued |
2003 |
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| dc.identifier.isbn |
2746206587 |
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| dc.identifier.uri |
https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/30858 |
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| dc.description |
320 p.: ill.; 25 cm |
fr_FR |
| dc.language.iso |
fr |
fr_FR |
| dc.publisher |
Hermès science publications |
fr_FR |
| dc.relation.ispartofseries |
Traité EGEM , électronique, génie électrique, microsystèmes; |
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| dc.subject |
MOS (électronique) |
fr_FR |
| dc.title |
Physique des dispositifs pour circuits intégrés silicium |
fr_FR |
| dc.type |
Book |
fr_FR |
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