Université Blida 1

Etude, à l’échelle atomique, des coefficients de transfert de charges entre le silicium dopé p et le HF, lors de la création du silicium poreux, par anodisation électrochimique, en utilisant la simulation par la méthode Monte Carlo cinétique

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dc.contributor.author Ouchene, Amir Chems Eddine
dc.contributor.author Ali-Messaoud, Anissa ( Promotrice)
dc.contributor.author Bouchendouka, Sarra ( Co-Promotrice)
dc.date.accessioned 2024-10-22T11:07:22Z
dc.date.available 2024-10-22T11:07:22Z
dc.date.issued 2024-07-07
dc.identifier.uri https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/31583
dc.description ill., Bibliogr. Cote:ma-530-368 fr_FR
dc.description.abstract Le travail demandé dans ce master est l’exploitation d’un simulateur (outil informatique) décrivant, à l’échelle atomique, le processus d’interact ion HF (liquide) avec le système cristallin Si (100) dopé p, à température ambiante, en utilisant la méthode de Monte Carlo cinétique dans la gestion des molécules HF arrivant sur la surface Si(100) dopé avec le Bore. Le mécanisme visé dans ce travail est le transfert de charge à l’interface HF/Si-B orienté (100), en parallèle avec ceux déjà connu : (1) réaction de HF/Si et HF/B, (2) adsorption de SiF 2 (interstitiel), )3( formation de brin SiF 3, )4( jonction des brins )5(formation de SiF 4 , (6) Désorption de SiF 4 . Ce travail entre dans le cadre des études menées pour la compréhension des mécanismes, aussi bien physiques que chimique, responsables de la formation des pores par anodisation électrochimique du silicium type p, en solution d’acide fluorhydrique, qui fut découvert par Uhlir en 1956, et reste toujours une curiosité de nombreux chercheurs. Mots clés : Semi-conducteur, modélisation et simulation, Anodisation électrochimique, Silicium poreux, Monte Carlo cinétique. fr_FR
dc.language.iso fr fr_FR
dc.publisher Université Blida 1 fr_FR
dc.subject Semi-conducteur fr_FR
dc.subject modélisation et simulation fr_FR
dc.subject Anodisation électrochimique fr_FR
dc.subject Silicium poreux fr_FR
dc.subject Monte Carlo cinétique fr_FR
dc.title Etude, à l’échelle atomique, des coefficients de transfert de charges entre le silicium dopé p et le HF, lors de la création du silicium poreux, par anodisation électrochimique, en utilisant la simulation par la méthode Monte Carlo cinétique fr_FR
dc.type Thesis fr_FR


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