Résumé:
Dans cette étude, nous avons optimisé les sous-cellules solaires à simple jonction
GaInP en prenant en compte divers paramètres, notamment les épaisseurs des couches pGaInP (Base) et n- GaInP (Emetteur), l'ajout d'une nouvelle couche tampon AlGaAs ainsi que
l'évaluation de l'impact de la couche fenêtre AlGaInP. Les simulations utilisant l'outil AtlasSILVACO ont montré une amélioration de l'efficacité de la CS menant à une densité de courant
de 18,35 mA/cm2
, une tension de 1,41 V et un facteur de remplissage de 86,81%. La sous-CSSJ
GaInP a une épaisseur totale de 0,650 µm et une efficacité de 22,42%. Les paramètres
optimaux comprennent une épaisseur de couche de base N de 0,410 µm, une épaisseur de
couche d'émetteur P de 0,174 µm, une épaisseur de la BSF AlGaInP de 0.019 µm de dopage de
5.019x1017 cm-3, et une couche tampon AlGaAs d'épaisseur 0,02 µm et de dopage de
4,75x1018 cm-3. Cette optimisation conduit à une amélioration de l'efficacité de conversion de
la sous-CSSJ GaInP et à réduire son épaisseur totale permettant ainsi à réduire nettement le coût
de fabrication. De plus, ces résultats ouvrent également des perspectives pour améliorer la
capacité d'absorption de la sous-cellule inférieure dans les cellules solaires à double jonction
