Résumé:
Ce travail entre dans le cadre des études menées sur le développement des outils de simulation atomistique par la méthode KMC, qui nécessite la compréhension des mécanismes, aussi bien physiques que chimique, responsables de la formation des pores et des oxydes au cours de l'anodisation du Si et SiO2(avec un substrat de silicium dopé p) dans milieu fluorhydrique.
La contribution demandée dans ce master est l'étude atomistique, des mécanismes de formation électrochimique du SiO2 dans HF/H2O, et son effet sur la Photoluminescence du silicium poreux (SiP), en vue d'une simulation numérique ultérieur. Il s'agit de détailler à l'échelle atomique la manière dont les ions H+ et F- de la molécule HF peuvent à la fois passiver la surface du substrat en silicium et créer de nouveaux produits actifs tels que le SiF4, SiF4H6 en transformant le silicium Si parfois en SiP et parfois en son oxyde SiO2 Ainsi, ces produits modifient les propriétés structurelle et optiques du matériau, ce qui est particulièrement pertinent pour les dispositifs microélectroniques et les guides optiques.
Mots clés :Semi-conducteur, Modélisation et Simulation, Anodisation électrochimique, Silicium poreux,
Oxyde natif.
