Résumé:
Le dioxyde d'étain (SnO
2
) non dopé et dopé à l’antimoine (Sb) (AT O) en
couches minces a été déposé sur des substrats en verre par la technique de
déposition chimique en phase vapeur. Les dépôts obtenus ont été caractérisés par
des mesures de spectroscopie infrarouge (IR) et Raman. Les fréquences
observées dans les spectres IR et Raman de l’ATO sont assignées aux modes de
vibration fondamentaux TO et LO établis par la théorie des groupes et à
différentes sortes de modes additionnels. Les fréquences assignés aux modes
fondamentaux de l’ATO sont calculés par la méthode SCF-LCAO-DFT/ (LDA,
B3LYP, BLYP, B3PW, PWGGA) périodique et corrélés aux modes de vibration de
SnO
2
rutile et aux modes de la molécule SnO
2
isolée.
Mots clés : Dioxyde d’étain, Déposition chimique en phase vapeur, dopage,
spectroscopie Raman, spectroscopie infrarouge, couches minces, DFT, tenseur
de la constante diélectrique, corrélation Tin dioxide (SnO
2
) and antimony doped tin dioxide (ATO) thin layers were grown
on glass substrates by chemical vapor deposition technic. Infrared and Raman
spectroscopy were used to characterize the deposited thin layers. The observed
frequencies in the IR and Raman spectrum of the ATO were assigned to the
fundamental TO and LO mode which are done by group theory and other
additional modes. The assigned frequencies to the fundamental mode of the ATO
are calculated by the periodic SCF-LCAO-DFT/ (LDA, B3LYP, BLYP, B3PW,
PWGGA) method and correlate to the vibrational mode of the rutile SnO
2
and to
the vibrational mode of the isolated SnO
2
molecule.
Keywords: Tin dioxide, Chemical vapeur deposition, doping Raman spectroscopy,
infrared spectroscopy, Thin layers, DFT, Dielectric tensor, correlation
