Résumé:
Notre travail consiste à développer un modèle de simulation numérique de première génération, pour expliquer le mode de croissance des couches minces d'oxyde d'étain et évaluer les caractéristiques de l'interface SnO2/Sn. Nos exigences sont donc de définir un modèle compatible avec les règles cristallographiques et de proposer d'une part un scénario relativement cohérent du processus d'oxydation basé sur la thermodynamique et la théorie de la cinétique chimique et d'autre part de décrire la croissance à l'échelle atomique à partir de l'adsorption des atomes d'oxygène sur SnOx (x=0,1ou 2). La méthode de Monte Carlo Cinétique associée aux mécanismes les plus probables impliqués dans la formation des premières couches d'oxyde comme l'adsorption, la migration, la désorption,…. des ad-atomes apportera le caractère dynamique de la croissance. Pour la représentation cristallographique de l'interface et la mise en évidence des effets de contraintes entre SnO2 et Sn, il nous est apparu plus judicieux de mettre en place un outil informatique capable de visualiser en 3D la structure cristalline en cours d'oxydation.
