Etude et simulation d'une structure à base de couches minces pour le photovoltaïque.

Souilamas, Nesrine; Krimi, Romaissa

dc.contributor.author	Souilamas, Nesrine
dc.contributor.author	Krimi, Romaissa
dc.date.accessioned	2020-03-01T09:22:32Z
dc.date.available	2020-03-01T09:22:32Z
dc.date.issued	2014-06-26
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/5543
dc.description	ill.,Bibliogr.	fr_FR
dc.description.abstract	L'objet de notre mémoire est l'étude et la simulation d'une structure à base d'Inı-xGaxN/GaN pour le photovoltaïque. Cet alliage ternaire est un semiconducteur III-V présentant des caractéristiques intéressantes notamment par son énergie de gap donnant une meilleure amélioration de l'absorption des photons. Notre étude a également porté sur la simulation des différents paramètres caractérisant la cellule solaire afin de calculer son rendement de conversion photovoltaïque. Mots clés : Photovoltaïque; Semi-conducteur; Absorption; Rendement.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Université Blida 1	fr_FR
dc.subject	Photovoltaïque	fr_FR
dc.subject	semi-conducteur	fr_FR
dc.subject	Absorption	fr_FR
dc.subject	Rendement.	fr_FR
dc.title	Etude et simulation d'une structure à base de couches minces pour le photovoltaïque.	fr_FR
dc.type	Thesis	fr_FR