Etude de l’effet du dopage par le potassium (𝐾� + ) sur la relaxation structurale du matériau ZnO

Abstract

L’objectif principal de ce travail est d’étudier l’effet du dopage de l’oxyde de zinc (ZnO) au potassium (K + ), sur les propriétés structurales et électroniques dans la phase würtzite, avec différentes concentration 2%, 5%. Pour cela, nous avons utilisé les méthodes ab-initio de pseudopotentiel basées sur la théorie fonctionnelle de la densité (DFT) implémentées dans le code VASP. Les paramètres structuraux, le module de compression et sa dérivée par rapport à la pression pour le ZnO pur et dopé ont été calculés en utilisant l’approximation GGA-PBE, Nous présentons aussi les propriétés électroniques du ZnO pur en utilisant les deux approximations GGA-PBE, GGA + U. l’amélioration de l’estimation du gap par l’approximation GGA+U à donner lieu à son utilisation pour l’étude des propriétés électroniques du ZnO dopé au potassium. Les résultats obtenus sont comparés aux données expérimentales disponibles et à d'autres calculs théoriques. Mots clés : Oxyde de Zinc (ZnO), K + , DFT, VASP, GGA-PBE, GGA+U.