Résumé:
Dans le domaine du photovoltaïque le silicium cristallin domine plus de 80% du marché mondial, les 20% restant sont assurées par les filières couches minces : CdTe, AsGa et CuzInGaSe, (CIGS). Ces dernières années le rendement de conversion de ces trois technologies a connu beaucoup d'améliorations, cependant leur développement reste tributaire à la rareté de la matière première utilisée (Te, In et Ga) ainsi qu'à la toxicité de certains éléments (Cd, As et Se). De ce fait, il est utile de chercher d'autres composés semi-conducteurs alternatifs qui soient compétitifs de points de vue coût et comportement vis-à-vis de l'environnement.
Dans ce contexte, plusieurs composés ont été étudiés, notamment Cu ZnSnS4 (CZTS) et Cu Sn1-xGexS3(CTGS). Le premier est relativement connu et beaucoup de travaux lui ont été consacrés, bien qu'il n'ait pas encore atteint le stade de la production. Quant au deuxième, il a demeuré assez méconnu comparant aux composés limites CuSnS3 (CTS) et CuzGeS3 (CGS). Peu de travaux seulement ont été consacrés à ce matériau (CTGS), il nécessite donc davantage de compréhension, notamment vis-à-vis de la composition du germanium sur ces propriétés structurales. Pour ce faire, la meilleure des manières est de l'étudier sous sa forme massive.
Ce travail sera consacré à la synthèse, par réaction à l'état solide, d'une série de composés massifs CTGS en faisant varier la composition en germanium et par la suite au suivi de l'évolution de ses propriétés structurales ainsi que sa morphologie avec la présence du germanium.
