Résumé:
L’objectif que nous nous sommes fixés dans cette thèse , est la mise au point d’un outil informatique capable de simuler la croissance par épitaxie par jets moléculaires de GaAs sur GaAs (100) basé sur la méthode de Monté Carlo.
Dans cette simulation, nous avons envisagé deux approches : la première est basée sur la théorie de la cinétique chimique et la seconde approche qui est basée sur l’aspect aléatoire des événements ayant lieu sur la surface, utilise la méthode de Monté Carlo pour le suivie temporel de l’évolution de la configuration et par suite la morphologie.
Ce travail a abouti à la détermination.
1/ du coefficient de collage des atomes de Gallium et des molécules d’Arsenic sur la surface GaAs (100) en fonction de la température du substrat.
2/ les paramètres et les conditions agissant sur la croissance d’une couche de GaAs sur GaAs (100).
3/ l’évolution de la couverture en fonction du temps pour chacun des systèmes Ga/ GaAs, As/GaAs, GaAs As/ GaAs (100).
En vue d’analyser la croissance du système GaAs / GaAs (100)., nous avons tenté de trouver une relation simple et directe entre le comportement de l’intensité RHEED et de la dynamique en surface.il c’est avéré que la densité de marches et la rugosité en surface fournissent des informations qualitatives de l’évolution de l’intensité RHEED et du mode de croissance.
