Résumé:
Dans ce travail, nous avons préparé des couches minces d’oxyde de zinc (ZnO) par la
technique APCVD sur des substrats en verre. Nous avons étudié l’effet de la temperature
de dépôt sur les propriétés de ces couches par différentes techniques (DRX, MEB, AFM,
EDX, FTIR). L’oxyde de zinc présente beaucoup d’intérêt car c’est un matériau binaire
ayant de bonnes propriétés optoélectroniques. Il est la fois transparent et conducteur. En
plus c’est un semiconducteur à large gap direct (3,3eV à la température ambiante). La
technique APCVD nous a permis de synthétiser des couches minces de ZnO. Les spectres
de DRX ont révélé que nos dépôts ont une structure hexagonale Wurtzite. Les images
MEB et AFM nous ont permis quant à elles de définir la morphologie et la rugosité de
nos couches. A partir de la spectroscopie FTIR nous avons montré que toutes les liaisons
chimiques et les groupes fonctionnels existant dans le réseau ZnO. L’ensemble des
résultats obtenus montre que la déposition des nos couches minces dépend des conditions
d’élaboration.
