Résumé:
Le but de ce travail est principalement avoir une idée sur les concepts généraux des nouveaux matériaux utilisés dans la construction des cellules solaires et ceci par l'étude de l'effet la variation de la concentration d'indium dans la structure InxGa1-xN/GaN sur les propriétés optoélectroniques tel que le paramètre de maille, la contrainte, l'énergie de gap et le coefficient d'absorption. En effet on a appliqué plusieurs modèles théoriques, et les résultats sont montre que la structure InxGa1-xN est promotrice pour les cellules solaires mono et multijontion.