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dc.contributor.author |
Harazi, Mohamed |
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dc.date.accessioned |
2020-12-23T12:07:16Z |
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dc.date.available |
2020-12-23T12:07:16Z |
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dc.date.issued |
2014 |
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dc.identifier.uri |
http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/8158 |
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dc.description |
ill.,Bibliogr. |
fr_FR |
dc.description.abstract |
Les travaux de recherche effectués dans le cadre de cette mémoire ont pour objectifs : • L'amélioration de la qualité électrique des substrats de silicium multi
cristallin obtenu dans notre Unité par le procédé de tirage à échangeur
thermique (HEM), avec le gettering externe au phosphore. • L'élaboration d'une nouvelle source dopante au phosphore pour réaliser
des émetteurs n+p sur des substrats de silicium multi cristallin (Si-mc). Nous avons procédé à l'étude du gettering externe par diffusion de phosphore appliqué sur des plaquettes de Si-mc HEM/UDTS. Deux sources ont été utilisées pour effectuer le gettering ; une source préforme avec un gettering homogène et une source liquide de POCl3 avec deux schémas : gettering homogène et étendu. L'application du gettering externe par source liquide de POC13 dans un four de diffusion conventionnel ainsi que par les sources préformes, ont conduit à une nette amélioration de la durée de vie (Teff). Les valeurs initiales mesurées sur des substrats de Si-mc sont de l'ordre de 3 à 8 usec. Nous avons obtenu une nette augmentation de la durée de vie de 15 à 37usesc avec les procédés homogène et étendu par source liquide POCL3, et 20 usec avec gettering par des sources préformes. |
fr_FR |
dc.language.iso |
fr |
fr_FR |
dc.publisher |
Université Blida 1 |
fr_FR |
dc.subject |
cellules photovoltaïques. |
fr_FR |
dc.subject |
électrons par QSSPC. |
fr_FR |
dc.subject |
plaquettes de silicium. |
fr_FR |
dc.subject |
silicium Multi cristallin type -p |
fr_FR |
dc.title |
Caractérisation de la durée de vie des électrons par QSSPC dans les plaquettes de silicium Multi cristallin type -p destinées aux cellules photovoltaïques. |
fr_FR |
dc.type |
Thesis |
fr_FR |
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