Résumé:
Dans ce travail de mémoire, nous nous somme focalisés sur l’analyse des défauts de lacunes
d’oxygènes dans la croissance cristalline des couches minces de SiO
2
/Si (100). Une
cartographie a été obtenu par un simulateur OXCAD développé via la méthode Stochastique
KMC pour être utilisée dans cette analyse. Il s’avère que les défauts de lacunes d’oxygènes
responsable des effets parasites (courant de fuite, tension de seuil instable…) des transistor
MOSFET sont aussi présentent dans d’autres diélectriques (oxydes) qui sont les plus étudiés
ces dernières années à cause de leurs bonnes propriétés physique et électrique pour être les
successeurs du SiO
2
, comme par exemple le HfO
2
. Pour en conclure, les modélisations et
simulations KMC sont des outils de base, au même titre que les microscopes, pour une
meilleure vision à l’échelle atomique des mécanismes responsable de la dégradation des
matériaux utilisés dans la fabrication des composants micro et nano électroniques.
