Résumé:
L’objectif de notre projet est d’étudier la dégradation des propriétés électriques notamment la durée de vie
des porteurs de charges des plaquettes de silicium monocristallin de type-P élaboré par la technique de tirage
Cz. La surface des plaquettes utilisées a été revêtue de couches de nitrure de silicium SiNx et d’oxyde de
silicium SiO
avec ou sans émetteur n+. Les expériences que nous avons menées sur des plaquettes de silicium
monocristallin en utilisant une illumination continue durant 50H montrent que la dégradation LID est plus
pertinente dans les plaquettes avec émetteur n+ dans les deux cas SiNx et SiNx/SiO
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. Ceci est dû à l’activité de
recombinaison intense dans le volume de l’émetteur et la formation d’une fraction de P-N. La concentration
effective N
*
t
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des défauts métastables BO générée montre une corrélation entre la valeur de la durée de vie des
porteurs de charges minoritaires
eff
et la concentration effective N
*
t
des défauts BO générés dans les deux
cas : avec un revêtement SiNx et celui de SiNx/SiO
. Les analyses FTIR des pics relatifs aux liaisons Si-H ont
montré une diminution de leur concentration en présence de la couche SiO
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et de l’émetteur n+. Ceci peut être
expliqué par l’emprisonnement de l’hydrogène dans le volume de la plaquette et la formation d’autres liaisons
avec le bore et probablement avec les métaux de transition. Les spectres FTIR étudiés montrent qu’une
fraction des liaisons Si-H a disparu dans les échantillons, notamment ceux avec émetteur indiquant la
formation d’autres complexes avec d’autres atomes et la présence du phosphore favorise la formation des
liaisons P-N au détriment des liaisons N-H et Si-H.
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