Tahraoui, Safia;
Belmechri, Abdelkrim (promoteur)
(Université Blida 01, 2016)
Résumé
A l'heure actuelle, les transistors à héterostructures HEMT (High Electron Mobility Transistor) à base de nitrure type AlGaN/GaN apparaissent comme les meilleurs candidats pour les applications hyperfréquences, ...