Effet de la température et de la durée de diffusion du bore dans le silicium de type P sur les propriétés de B-BSF

Abstract

Ce travail de mémoire porte sur l’utilisation du bore comme alternative à l’aluminium en face arrière, pour la formation du champ de surface arrière (BSF), qui est indispensable au bon fonctionnement de la cellule. Ceci est en raison de l’éfficacité du dopage bore. L’utilisation du bore nécessite une étape de diffusion thermique supplémentaire appelée : recuit thermique. La contribution de ce travail est donc, d’investiguer l’influence de la température et de la durée lors de cette dernière étape sur les propriétés du Bore-BSF, formant la jonction PP+ de la cellule solaire. Pour achever cet objectif, des notions basiques ont été établies dans les premiers chapitres pour la compréhension des mécanismes de recombinaison et de l’effet du champ de surface arrière. Par la suite, la technique de dopage par diffusion thermique a été présentée en détails, ainsi que les sources de bore largement répandues dans le domaine. Les outils d’investigations utilisés au cours de cette recherche sont : la technique ECV pour la détermination du profil de dopage du bore, La QSSPC pour la mesure de la durée de vie, la mesure de la résistance carrée par la méthode des quatre pointes. Une simulation a également été réalisé par assistance de logiciel EDNA 2, qui est disponible gratuitement en ligne dans la plateforme « PVlighthouse ». La simulation avait pour but de déterminer le courant de saturation dans le champ de surface arrière pour les différents procédés réalisés. De ces mesures, On est arrivé à remarquer la sensitivité de la diffusion du bore dans le silicium type P, à la température et à la durée de diffusion.

Mot clés : silicium type P, B-BSF, Recuit thermique, Température de diffusion, durée de diffusion, ECV , quatre-pointes, EDNA 2 .