Modélisation de la température pour les composants actifs radio fréquence

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Titre:	Modélisation de la température pour les composants actifs radio fréquence
Auteur(s):	Fitas, Abdelaziz Louaked, Ilyes
Mots-clés:	l’effet thermique; transistor HEMT; AL-GAN/GAN; conception assistée par ordinateur CAO
Date de publication:	2020
Editeur:	Univ Blida1
Résumé:	otre travail s’est orienté dans le cadre d’une recherche de l’effet thermique sur le comportement de transistor de puissance HEMT AL-GAN/GAN car leurs performances et leur fiabilité dépendent directement de leurs températures de fonctionnement .ce dernier est très prometteur pour les applications haute puissance à hautes fréquences. Ce travail est fait par une conception assistée par ordinateur (CAO) laquelle est essentiel pour refléter la réalité avec l'augmentation du niveau de puissance et de la température du cana
Description:	621.948 ; 86 p
URI/URL:	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/11361
Collection(s) :	Mémoires de Master

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