Etude, Simulation et Optimisation d’une photodiode ultra rapide à base des nouveaux Matériaux InGaAs/InP

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Titre:	Etude, Simulation et Optimisation d’une photodiode ultra rapide à base des nouveaux Matériaux InGaAs/InP
Auteur(s):	El Mechri, Naima Longou, Ghania Asma
Mots-clés:	Photodiode, substrat, épitaxie, Semi-conducteur III-V, Capacité, Fréquence de coupure, photodétecteu
Date de publication:	2021
Editeur:	Univ Blida1
Résumé:	La transmission optique à très haut débit, nécessite le développement de récepteurs de très hautes performances. Ce travail porte sur l’étude, la simulation et l’optimisation d’une photodiode ultra-rapide à base d’un composé ternaire de semiconducteurs III-V de l’épitaxie InGaAs sur le substrat InP. Nous avons optimisé l’impact de la concentration d’indium sur les différentes paramètres électriques et optiques de l’alliage InGaAs/InP, à l’aide d’un logiciel de simulation qui est Matlab, ainsi que la capacité et la fréquence de coupure d’un photodétecteur
Description:	621.995 ; 48 p
URI/URL:	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/12102
Collection(s) :	Mémoires de Master

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