Etude et Simulation d’une cellule photovoltaïque a hétérojonction (HIT) de silicium a-Si :H/c-Si

Abstract

Dans ce travail nous avons simulé et étudié le fonctionnement des cellules photovoltaïques HIT en silicium par la simulation sous éclairement avec un spectre AM1.5 effectuée sous le simulateur SCAPS. Les paramètres de sortie de la cellule sont : Le courant de court-circuit, Jcc=40.03 (𝒎𝑨/𝒄𝒎𝟐). La tension de circuit ouvert V𝒄𝒐=𝟎. 76𝑽. Le facteur de forme 𝑭𝑭=84.86%. Le rendement de conversion, 𝜼=25.74%. L’influence des différents paramètres sur les caractéristiques de la cellule sont aussi étudiée. À travers ce travail, nous avons abouti aux conclusions suivantes : L'augmentation de l’épaisseur améliore le rendement électrique de la cellule et le rendement quantique. L’augmentation de l’épaisseur de la cellule améliore aussi le rendement électrique et quantique de la cellule. L’augmentation du dopage entraine une augmentation dans le rendement. La diminution de la vitesse de recombinaison en surface améliore le rendement électrique, et le rendement quantique externe