Etude et simulation d’une structure à base de GaInP/GaInAs/Ge pour le photovoltaïque

Abstract

Ce travail porte sur la simulation d’une structure à base des semi-conducteurs pour une application photovoltaïque. Nous avons étudié d’abord l’influence de la concentration d’indium sur les différents paramètres de l’alliage GaInAs et GaInP épitaxie sur substrat de Ge. En effet l’augmentation de la densité d’indium diminue le gap de l’alliage, ce qui est très intéressant pour absorber le maximum de spectre solaire. L’étude porte sur l’impact de la concentration d’indium sur les alliages Ga(1-x)InxP et Ga(1y)InyAs

qui constituent notre cellule à double hétérojonction afin de déterminer leurs caractéristiques physiques et électriques et optimiser les concentrations d’indium de 74% qui donnent un rendement maximal de 30% de conversion photovoltaïque.