Modélisation et optimisation des structures à base de GaAsN et GaAsBi pour le photovoltaïque

Abstract

L’énergie photovoltaïque convertit directement l’énergie Lumineuse en énergie électrique par des cellules solaires. Ce travail consiste à étudier et simuler une cellule solaire à base du matériau GaAsN et GaAsBi. Ces alliages ternaires qui sont des semi-conducteurs III-V présentent des caractéristiques importantes. Les caractéristiques d’une cellule solaire à base de GaAsN/GaAs et l’influence des boites quantiques sur cette structure dans le but d’optimiser le rendement ont été étudiées.

Mots clés : cellule solaire, gallium arséniure nitrure, gallium arséniure bismuth, boites quantiques.