Modélisation et optimisation des structures à base de GaAsN et  GaAsBi pour le photovoltaïque

Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/1948

Titre:	Modélisation et optimisation des structures à base de GaAsN et GaAsBi pour le photovoltaïque
Auteur(s):	EDDALIA, Farid Boubakeur, Manel
Mots-clés:	cellule solaire, gallium arséniure nitrure, gallium arséniure bismuth
Date de publication:	2016
Editeur:	U.Blida1
Résumé:	L’énergie photovoltaïque convertit directement l’énergie Lumineuse en énergie électrique par des cellules solaires. Ce travail consiste à étudier et simuler une cellule solaire à base du matériau GaAsN et GaAsBi. Ces alliages ternaires qui sont des semi-conducteurs III-V présentent des caractéristiques importantes. Les caractéristiques d’une cellule solaire à base de GaAsN/GaAs et l’influence des boites quantiques sur cette structure dans le but d’optimiser le rendement ont été étudiées. Mots clés : cellule solaire, gallium arséniure nitrure, gallium arséniure bismuth, boites quantiques.
Description:	4.621.1.418 ; 57 p 30 cm
URI/URL:	http://di.univ-blida.dz:8080/xmlui/handle/123456789/1948
Collection(s) :	Mémoires de Master

Fichier(s) constituant ce document :

Fichier	Description	Taille	Format
Farid final.pdf		2,15 MB	Adobe PDF	Voir/Ouvrir

DSpace JSPUI