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dc.contributor.authorCHETOUI, Mohamed-
dc.contributor.authorBARR, Billal-
dc.date.accessioned2022-10-04T09:06:55Z-
dc.date.available2022-10-04T09:06:55Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationblida1fr_FR
dc.identifier.urihttps://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/19811-
dc.description4.333.1.252 ; 80Pfr_FR
dc.description.abstractLes cellules solaires à base d'éléments III-V jouent un rôle important dans les applications spatiale et terrestre. Le but principal de ce travail est de faire une simulation numérique de trois différentes structures à hétérojonction à base de GaAs afin de les optimiser et choisir la structure la plus performante et la plus résistante aux irradiations à électrons de 1MeV.Les résultats d’optimisations obtenus montrent que chaque structure présente des paramètres performants visà-vis la nature des couches fenêtres. Tandis que l’ajout des différentes couches d’AZO et ITO jouent un rôle très important à la résistivité de ces structures aux irradiations à électrons de 1MeV. L’utilisation d’AZO, ZnO comme couche fenêtre améliore les performances des cellules solaires au milieu spatial.fr_FR
dc.language.isofrfr_FR
dc.publisherblida1fr_FR
dc.subjecthétérojonction, GaAs, GaInP, irradiations, 1MeV, électron, cellule solaire.fr_FR
dc.titleÉTUDE DE L’EFFICACITE DES CELULES SOLAIRES A HETEROJONCTIONS EN PRESENCE DES IRRADIATIONS A ELECTRONS.fr_FR
Collection(s) :Mémoires de Master

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