Modélisation et simulation d'une structure à multipuits quantiques à base de GalnAs (N,Sb)/ GaAs

Abstract

Ce travail porte sur la modélisation d’une structure quinaire nitrurée, à base d’un puits quantique contraint “GaxIn1_xNyAs1_y_zSbz“. Nous avons étudié d’abord l’effet de l’introduction de l’azote et de l’antimoine dans les alliages ternaires GaInAs. En effet, l’incorporation d’une faible composition d’azote provoque un éclatement de la bande de conduction en deux sous bandes tandis que l’antimoine provoque l’éclatement de la bande de valence. Sous l’effet de cet éclatement, il y a réduction de la bande interdite, ce qui est très intéressant pour l’obtention de la longueur d’onde 1.55μm (fenêtre pour fibre optique). Nous avons également étudié l’effet de la contrainte sur la structure de bande, et en particulier sur la bande de conduction. Nous avons calculé la longueur d’onde d’émission en fonction de la largeur du puits et des compositions x (Gallium), y (Azote), z(Antimoine) en prenant en considération l’influence de la contrainte, la température et la largeur du puits. Par la suite nous avons calculé le gain optique pour déterminer et étudier le courant de seuil et la puissance optique générée en fonction de différents paramètres de la structure.