Simulations de l’influence des défauts sur une diode Schottky à base AlGaAs

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Titre:	Simulations de l’influence des défauts sur une diode Schottky à base AlGaAs
Auteur(s):	Brahimi, Chakib Benlemdjaldi, Moussa
Mots-clés:	Diode ; Schottky ; Semi-conducteurs Diode ; Schottky ; Semi-conducteurs
Date de publication:	2018
Editeur:	Univ Blida1
Résumé:	L’objectif principal de ce travail est d’étudier les caractéristiques d’une diode Schottky à base AlGaAs que sont obtenus après la simulation assisté par logiciel " SILVACO" .Pour bien comprendre le comportement de cette diode et son principe de fonctionnement et les phénomènes participant dans la conductivité du courant dans ce dernier, on a fait un partie théorique contient des généralités et des notions du base sur les semi-conducteurs en générale et ce type de composants spécialement. La simulation nous a permis d’étudier l’influence des défauts et d’autres paramètres sur les caractéristiques électriques tels que I-V and C-V
Description:	4.621.1.565 ; 87 p illustré
URI/URL:	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/2785
Collection(s) :	Mémoires de Master

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