Étude et simulation d’un transistor nanométrique à grille enrobée cylindrique GAA MOSFET

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Titre:	Étude et simulation d’un transistor nanométrique à grille enrobée cylindrique GAA MOSFET
Auteur(s):	Fettoumi, Mouloud Khoukhi, Karim
Mots-clés:	Transistor MOSFET ; Grille enrobée cylindrique ; Tension de seuil
Date de publication:	2018
Editeur:	Univ Blida1
Résumé:	Le MOSFET à grille enrobée cylindrique (GAA) est une invention radicale et un candidat potentiel pour remplacer le MOSFET conventionnel, car il introduit une nouvelle direction pour la mise à l'échelle des transistors. Dans ce travail, la sensibilité des paramètres de processus tels que la longueur du canal (LG), l'épaisseur du canal (W) et le travail de sortie de grille (φM) sur les performances du transistor sont systématiquement analysées. Les caractéristiques électriques telles que la tension de seuil (Vth) et la transconductance (gm) sont évaluées et étudiées avec la variation des paramètres de conception du dispositif. Cette étude a été effectuée en utilisant le logiciel COMSOL
Description:	4.621.1.570 ; 72 p ; illustré
URI/URL:	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/2796
Collection(s) :	Mémoires de Master

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