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Titre: Simulation et optimisation d'un amplificateur distribué pour les applications radar
Auteur(s): Belmecheri, Abelkrim
Mots-clés: GaN /HEMT
Transistor large signal
Modèle physique
Date de publication: 2023
Editeur: Univ.Blida 1
Résumé: Dans ce travail, nous avons étudié un modèle non-linéaire du transistor d’Angelov utiles pour des applications en hyperfréquences. Ce modèle reproduit, de manière très précise, les caractéristiques hyperfréquences des transistors HEMT en régime grand-signal. Le modèle a été validé à travers des mesures grand-signal. L’extraction des paramètres du modèle est très rapide et son implémentation dans un simulateur de circuits est très simple. Ce modèle de transistor nous a permis de concevoir, un amplificateur à faible bruit et trois amplificateurs distribués uni-étage.
Description: 145 p. : ill. ; 30 cm.
URI/URL: https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/29080
Collection(s) :Thèse de Doctorat

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