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https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/29080
Titre: | Simulation et optimisation d'un amplificateur distribué pour les applications radar |
Auteur(s): | Belmecheri, Abelkrim |
Mots-clés: | GaN /HEMT Transistor large signal Modèle physique |
Date de publication: | 2023 |
Editeur: | Univ.Blida 1 |
Résumé: | Dans ce travail, nous avons étudié un modèle non-linéaire du transistor d’Angelov utiles pour des applications en hyperfréquences. Ce modèle reproduit, de manière très précise, les caractéristiques hyperfréquences des transistors HEMT en régime grand-signal. Le modèle a été validé à travers des mesures grand-signal. L’extraction des paramètres du modèle est très rapide et son implémentation dans un simulateur de circuits est très simple. Ce modèle de transistor nous a permis de concevoir, un amplificateur à faible bruit et trois amplificateurs distribués uni-étage. |
Description: | 145 p. : ill. ; 30 cm. |
URI/URL: | https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/29080 |
Collection(s) : | Thèse de Doctorat |
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