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dc.contributor.authorYAHIAOUI AICHA AMINA-
dc.contributor.authorKANOUN ZINEB-
dc.date.accessioned2024-10-07T12:18:24Z-
dc.date.available2024-10-07T12:18:24Z-
dc.date.issued2024-
dc.identifier.urihttps://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/31040-
dc.description4.621.1.1333;58pfr_FR
dc.description.abstractLe but de ce travail est la conception d'un LNA (Low Noise Amplifier) en technologie CMOS (Complementary Metal Oxide Silicon) 0.18μm pour les applications sans fil, nécessitant les différents paramètres de conception pour atteindre un compromis fourni une faible bruit NF, une faible consommation de puissance et un facteur de qualité élevé. La méthode d’analyse PCNO (optimisation de bruit sous contrainte de puissance) optée pour cette conception a permis d’atteindre cet objectif en réalisant un bon compromis entre ces performances du LNA: NF=1.7 dB, S 21 =15.3dB, S 11 =-16.3dB,S 12 =-35dB dB et S 22 =4.74dBfr_FR
dc.language.isofrfr_FR
dc.publisherblida1fr_FR
dc.subjectamplificateur à faible bruit, LNA, PCNO, CMOSfr_FR
dc.titleConception d’Amplificateur à Faible Bruit en Technologie CMOS à 2.4 GHzfr_FR
Collection(s) :Mémoires de Master

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