Optimisation des nanostructures à base des semi-conducteurs iii-v pour la détection ultra-rapide

Abstract

A très haut débit, un photodétecteur performant devient un élément indispensable dans une chaîne de communication optique. Le but de la présente thèse est d'optimiser une photodiode PIN basée sur une structure stable permettant d'améliorer les performances du dispositif et d'augmenter sa durée de vie, afin d'obtenir une photodiode ultra-rapide. L'optimisation a été effectuée en insérant deux couches transparentes sur les côtés p et n afin de minimiser l'effet capacitif et celui relatif au temps de transit. En outre, l'effet de l'épaisseur de la couche absorbante et de la surface de la jonction sur les performances de la photodiode, composée d'une structure stable InGaAsN/GaAs, a été étudié. D'autre part, une autre étude a été réalisée dans laquelle la photodiode est constituée la structure GaInAs soumise à des contraintes en utilisant deux substrats largement exploités dans les applications optoélectroniques : l'InP et le GaAs. L'impact du type de contrainte appliqué au matériau sur la largeur de la bande interdite et le coefficient d'absorption a été abordé. Par la suite, il sera question dans le cadre de ce travail d'étudier l'effet de la contrainte sur l'évolution de la fréquence de coupure à -3dB et sur la réponse totale de la photodiode.