Modélisation et simulation d’une structure à base de matériaux IIIV pour les télécommunications

Abstract

Ce travail porte sur la modélisation et la simulation de deux structures ternaires à base de semi-conducteurs III-V a puits quantique contraint,In N GaN et In

Ga As/InP pour des applications en télécommunications. Nous avons étudié d’abord l’effet de l’incorporation d’une faible concentration d’indium sur les différents paramètres de ces alliages ternaires. En effet, l’incorporation de l’indium provoque un éclatement de la bande de valence en deux sous bandes ,sous l’effet de cet éclatement, il y a réduction de la bande interdite, ce qui est très intéressant pour l’obtention de la longueur d’onde 1.55µm (fenêtre pour fibre optique). Nous avons également étudié l’effet de la contrainte sur la structure de bande. On a calculé la longueur d’onde d’émission en fonction de la largeur du puits pour les deux structures en prenant en considération l’influence de la contrainte et la concentration x (Indium). Par la suite nous avons calculé le gain optique en fonction de la longueur d’onde en variant la largeur du puits, la densité d’injection des porteurs et la concentration de l’indium. Et à la fin on a atteint la longueur d’onde souhaitée pour les télécommunications 1.55µm pour la structure In

. In

Ga

.In As InP In

Ga

Ga As InP

N GaN

Ga

As InP.