Amélioration des performances d’un capteur optique à base de semiconducteurs InGaN / GaN

Abstract

Ce projet de recherche s’inscrit dans le domaine des photodétecteurs à base de matériaux semiconducteurs InGaN/GaN. L’étude a d’abord porté sur l’analyse des effets de la composition en

indium et de la température sur les propriétés structurales, électriques et optiques des alliages

InGaN.

En s’appuyant sur ces résultats, le travail s’est orienté vers l’optimisation des performances des photodiodes à base d’InGaN/GaN, en mettant particulièrement l’accent sur l’efficacité quantique, la sensibilité, le courant d’obscurité et le temps de réponse. Enfin, les résultats obtenus ont été adaptés à une application spécifique : la détection ultraviolette (UV), avec une concentration en indium de 0,1, optimisée pour cette gamme spectrale.