Simulation et optimisation de la structure à puits quantique contraint à base d’InGaAsSb/InGaSb pour les applications optoélectroniques

Abstract

Le but de ce travail est de mener une étude de simulation et d’optimisation de la structure à puits quantique contraint à base d’InGaAsSb/InGaSb pour les applications optoélectroniques. Nous nous sommes d’abord intéressés à l’étude des principales propriétés optoélectroniques qui caractérisent cette structure. Nous avons ensuite étudié l’effet de la combinaison de l’indium (dans le puits et la barrière) et de l’arsenic sur le coefficient du gain optique. L’augmentation du coefficient de gain nécessite de diminuer les valeurs de toute les concentrations. L’indium a un rôle crucial sur le déplacement de la longueur d'onde d'émission. Cette dernière peut être ajustée dans le domaine de l’infrarouge en fonction de l’application souhaitée.