Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/5543
Titre: Etude et simulation d'une structure à base de couches minces pour le photovoltaïque.
Auteur(s): Souilamas, Nesrine
Krimi, Romaissa
Mots-clés: Photovoltaïque
semi-conducteur
Absorption
Rendement.
Date de publication: 26-jui-2014
Editeur: Université Blida 1
Résumé: L'objet de notre mémoire est l'étude et la simulation d'une structure à base d'Inı-xGaxN/GaN pour le photovoltaïque. Cet alliage ternaire est un semiconducteur III-V présentant des caractéristiques intéressantes notamment par son énergie de gap donnant une meilleure amélioration de l'absorption des photons. Notre étude a également porté sur la simulation des différents paramètres caractérisant la cellule solaire afin de calculer son rendement de conversion photovoltaïque. Mots clés : Photovoltaïque; Semi-conducteur; Absorption; Rendement.
Description: ill.,Bibliogr.
URI/URL: http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/5543
Collection(s) :Mémoires de Master

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
souilamas nesrine.pdf29,51 MBAdobe PDFVoir/Ouvrir


Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.