Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document :
https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/5543| Titre: | Etude et simulation d'une structure à base de couches minces pour le photovoltaïque. |
| Auteur(s): | Souilamas, Nesrine Krimi, Romaissa |
| Mots-clés: | Photovoltaïque semi-conducteur Absorption Rendement. |
| Date de publication: | 26-jui-2014 |
| Editeur: | Université Blida 1 |
| Résumé: | L'objet de notre mémoire est l'étude et la simulation d'une structure à base d'Inı-xGaxN/GaN pour le photovoltaïque. Cet alliage ternaire est un semiconducteur III-V présentant des caractéristiques intéressantes notamment par son énergie de gap donnant une meilleure amélioration de l'absorption des photons. Notre étude a également porté sur la simulation des différents paramètres caractérisant la cellule solaire afin de calculer son rendement de conversion photovoltaïque. Mots clés : Photovoltaïque; Semi-conducteur; Absorption; Rendement. |
| Description: | ill.,Bibliogr. |
| URI/URL: | http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/5543 |
| Collection(s) : | Mémoires de Master |
Fichier(s) constituant ce document :
| Fichier | Description | Taille | Format | |
|---|---|---|---|---|
| souilamas nesrine.pdf | 29,51 MB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir |
Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.