Etude et Simulation des structure AlGaN/GaN pour les HEMTs.

Abstract

L’objectif de ce travail est d’étudier une méthode de caractérisation afin d’expliquer le comportement des transistors HEMT de puissance basés sur une hétérostructure AlGaN/GaN et d’identifier les différentes limites liées à cette technologie. Ces transistors sont considérés ces dernières années comme des composants prometteurs pour les applications hyperfréquences qui nécessitent des tensions et des puissances élevées. Nous avons présenté les polarisations spontanée et piézoélectrique afin de simuler la densité de charge à l’interface d’une hétérostructure AlGaN/GaN ainsi que les caractéristiques courant-tension. L’influence des polarisations sur ces couches constituant l’hétérostructure à été étudiée créant une mobilité des électrons très élevée. Mots clés : HEMTs GaN; contact Schottky; 2DEG