Étude et optimisation d’une photodiode pour la télécommunication

dc.contributor.author	Gherab, Gouraya
dc.contributor.author	Hamoud, Anfal; Aissat, Abdelkader (promoteur); Ameraoui, Rachid (promoteur)
dc.date.accessioned	2021-11-18T09:03:34Z
dc.date.available	2021-11-18T09:03:34Z
dc.date.issued	2021
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/13030
dc.description	Mémoire de Master option Communication Navigation Surveillance /Gestion du trafic aérien (CNS).-Numéro de Thèse 041/2021	fr_FR
dc.description.abstract	Ce travail porte sur la simulation de deux structures à base de semi-conducteurs III-V (InGaN/GaN et InAsSb/GaAs) pour une application de photo-détection. Il s’agit plus exactement d’évaluer l’influence de chacun de l’indium ‘In’ et l'ant imoine ‘Sb’ sur les différents paramètres de ces semi-conducteurs pour la conception d’une photodiode. Ce manuscrit comporte des généralités sur les S.C. III-V, ainsi que la simulation des deux structures mentionnées et la comparaison entre eux et leurs avantages.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Université Blida 01	fr_FR
dc.subject	Photo-détection ; Photodiode; Semiconducteurs; (InGaN/GaN, InAsSb/GaAs)	fr_FR
dc.title	Étude et optimisation d’une photodiode pour la télécommunication	fr_FR
dc.type	Thesis	fr_FR